Головна » 2007»Февраль»15 » ІBM представила нову технологію виготовлення комп'ютерної пам'яті
ІBM представила нову технологію виготовлення комп'ютерної пам'яті
Корпорація ІBM сьогодні оголосила про створення принципово нової технології розробки модулів комп'ютерної пам'яті. У компанії говорять, що нова технологія може використовуватися для створення як модулів оперативної пам'яті, так і кеш-памяті, безпосередньо інтегрувальної в центральний процесор. Інженери ІBM говорять, що їхній підхід базується на вдосконалюванні вже існуючих технологій розробки пам'яті. Новий підхід дозволив не тільки скоротити час доступу до інформації в три рази, але й підвищити ємність модулів за рахунок застосування більш мініатюрних транзисторів і нових матеріалів. В ІBM пояснюють, що традиційні модулі оперативної пам'яті формату SRAM використовують шість транзисторів для зберігання одного біта даних, більш розповсюджена пам'ять формату DRAM використає один транзистор для зберігання одного біта, за рахунок чого дані модулі мають менший розмір, обоє ці стандарту відносно дешеві, однак вони являють собою окремі плати, що не володіють достатнім для використання в центральному процесорі швидкодією. Розроблювачі говорять, що їм удалося сполучити дешевину модулів оперативної пам'яті зі швидкістю кеш-памяті, установлюваної в центральні процесори. Нові модулі ІBM базуються на технології "кремній на ізоляторі" (патентована розробка ІBM, саме на її базі буде виготовлений майбутній процесор Power 6), завдяки чому вдалося створити пам'ять згодом доступу 1,5 наносекунди, що в 10 разів швидше існуючих модулів DRAM. Нові модулі одержали назву Z-RAM й, як очікується, вони будуть поставлятися з майбутніми продуктами корпорації, іншим же виробника вони будуть продаватися окремо. Також відомо, що партнером по розробці нових модулів була компанія AMD.
Меню
![[Vox.com.ua] Портал українця](http://www.vox.com.ua/button.gif){kind=small}
