Головна » 2007»Апрель»12 » Jazz Semіconductor повідомляє про готовність 0,13-мкм техпроцесу SіGe BіCMOS
Jazz Semіconductor повідомляє про готовність 0,13-мкм техпроцесу SіGe BіCMOS
Новий технологічний процес призначений для випуску швидкодіючих приладів, використовуваних в устаткуванні для бездротового й оптичного зв'язку. Максимальна частота роботи транзисторів, що виготовляють по новому техпроцесу, становить 200 Ггц. Як затверджується, цього досить для однокристальних рішень, використовуваних у самих високочастотних додатках. З погляду більш тонких норм, якими звикли оперувати виробники логічних мікросхем й, тим більше, чіпів пам'яті, норми 130 нм здаються вчорашнім днем. Насправді, і отут позначається специфіка області застосування цих чипів, технологія SіGe BіCMOS (SBC13) - передній край галузі. В основі новинки - стандартний 130-нм техпроцесс CMOS й 200-Ггц SіGe-транзистори, використовувані для радіочастотних ланцюгів і схем, що працюють у міліметровому діапазоні. За допомогою нового технологічного процесу можна формувати до шести шарів алюмінієвих провідників, комбінувати пасивні аналогові компоненти (індуктивності, конденсатори, резистори) і блоки із цифровими ланцюгами, що необхідно при виготовленні однокристальних систем. Jazz Semіconductor є дочірнім підприємством компанії Jazz Technologіes і спеціалізується на варіаціях CMOS-процесу, оптимізованих для випуску чіпів змішаної обробки сигналів.
Меню
![[Vox.com.ua] Портал українця](http://www.vox.com.ua/button.gif){kind=small}
